NUD4001DGEVB

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

NUD4001DGEVB
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
ON SEMICONDUCTOR
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

NUD4001DGEVB
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
15+
-
原装正品，假一罚十

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： NUD4001DR2 NUD4001DR2G NUD4011DR2 NUD4011DR2G NUD4301MNT1G NUD4700SNT1G NUD4700WSNT1G NUE NUF2015W1T2G

NUD4001DGEVB PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NUD4001DGEVB 技术参数

NUD3160LT1G 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3160LT1 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3160DMT1G 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3160DMT1 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3124LT1G 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUF2030XV6T1 NUF2030XV6T1G NUF2042XV6T1 NUF2042XV6T1G NUF2070MNT1G NUF2101MT1 NUF2101MT1G NUF2114MNT1G NUF2116MNT1G NUF2220XV6T1 NUF2221W1T2 NUF2221W1T2G NUF2222FCT1G NUF2230XV6T1 NUF2230XV6T1G NUF2240W1T1 NUF2240W1T1G NUF2441FCT1