NAND512R3A2SN6E

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NAND512R3A2SN6E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
12630
Micron Technology Inc.
48-TFSOP (0.724", 18
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

NAND512R3A2SN6E
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Micron Technology Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十

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制造商
Micron Technology Inc
功能描述
NAND - Trays

NAND512R3A2SN6E 技术参数

NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ NAND512R3A2BZA6E 功能描述:闪存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND512R3A2AZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 55VFBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 NAND512W3A2BN6F NAND512W3A2BZA6E NAND512W3A2CN6E NAND512W3A2CZA6E NAND512W3A2DN6E NAND512W3A2DZA6E NAND512W3A2SE06 NAND512W3A2SN6E NAND512W3A2SN6F TR NAND512W3A2SNXE NAND512W3A2SZA6E NAND512W3A2SZA6F TR NAND512W3A2SZAXE NAND512W4A0AN6E NANDAAR4N4AZBA5E NANEYE_CABLE_COLOURED_4WFLAT NANO_FIB_BOX_2.0 NANO_FIBER_DEMO_1MM