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MLD200T4

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    MLD200T4

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

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    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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MLD200T4 技术参数
  • MLD1N06CLT4 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLCE90AE3 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MLCE90A 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MLCE9.0AE3 功能描述:TVS DIODE 9VWM 15.4VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:97A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MLCE9.0A 功能描述:TVS DIODE 9VWM 15.4VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:97A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MLDET2310P MLDET2510P MLDIF-592X592-PC1.5-80 MLE-101-01-G-DV MLE-102-01-G-DV MLE-103-01-G-DV MLE-104-01-G-DV MLE-105-01-G-DV MLE-105-01-G-DV-A MLE-105-01-G-DV-A-P MLE-105-01-G-DV-A-P-TR MLE-106-01-G-DV MLE-106-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV MLE-107-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV-A-K-TR MLE-107-01-G-DV-P-TR MLE-108-01-G-DV
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