IXDN604SIATR全国供应商【买卖IC网】IXDN604SIATR资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

IXDN604SIATR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
4
IXYS
con
24+
-
集成电路（IC）

IXDN604SIATR
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
12000
IXYS
SOP8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

IXDN604SIATR
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
4
IXYS
con
24+
-
集成电路（IC）

IXDN604SIATR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
1800
IXYS
8-SOIC
22+
-

IXDN604SIATR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24805
IXYS Integrated Circuits
SOIC-8
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

IXDN604SIATR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
IXYS Integrated Circuits
标准封装
16+
-
假一罚十

IXDN604SIATR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7970
IXYS INTE
REEL
1521+
-
全新原装现货

IXDN604SIATR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
8-SOIC（0.154"，3.90mm
12+
-
授权分销现货热卖

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1

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功能描述
功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

IXDN604SIATR 技术参数

IXDN604SIA 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604SI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604PI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN602SITR 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDN602SIATR 功能描述:2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDN614CI IXDN614PI IXDN614SI IXDN614SITR IXDN614YI IXDN630CI IXDN630MCI IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI IXDP630PI IXDP631PI IXDR30N120 IXDR30N120D1