IRS2181PBF.

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IRS2181PBF.
深圳市柏新电子科技有限公司
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联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
1370
IR
DIP8
2012+
-
只做原装正品。

IRS2181PBF.
甄芯网
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
1370
I
DIP8
09+
-
正品现货

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IRS2181PBF. 技术参数

IRS2181PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On Non Invrt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21814STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21814SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21814PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21814MTRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21844MTRPBF IRS21844PBF IRS21844SPBF IRS21844STRPBF IRS2184PBF IRS2184SPBF IRS2184STRPBF IRS21850SPBF IRS21850STRPBF IRS21851C IRS21851SPBF IRS21851STRPBF IRS21853SPBF IRS21853STRPBF IRS21856SPBF IRS21856STRPBF IRS21858SPBF IRS21858STRPBF