EPC2014

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2014C
优势
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
3866
-

EPC2014
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

EPC2014C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
54051
EPC
LGA
20+
-
瑞智芯只做原装

EPC2014C
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
87500
EPC
带卷（TR）
1521+
-
全新原装现货

EPC2014C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
36596
EPC
LGA
19
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
eGaN®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

EPC2014 技术参数

EPC2012CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（4 焊条）标准包装:1 EPC2012C 功能描述:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（4 焊条）标准包装:1 EPC2012 功能描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:145pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2010CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（7 焊条）标准包装:1 EPC2010C 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（7 焊条）标准包装:1 EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR