EPC-2030

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EPC-2030 技术参数

EPC2030 功能描述:MOSFET NCH 40V 31A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 20V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 30A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）标准包装:1 EPC2029ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2029ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2029 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1410pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2025ENGR 功能描述:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.85nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（12 焊条）标准包装:10 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT