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ECHU1H183JB5
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
PANASONIC
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

ECHU1H183JB5
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
2486
PAN
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

ECHU1H183JB5
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
PANASONIC
1210L
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ECHU1H183JB5
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1859
panason
1210
08+
-
原装现货/特价

ECHU1H183JB5
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PANASONIC
原厂封装
0737+
-
假一罚十，百分百原装正品

ECHU1H183JB5
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
PANASONIC
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

ECHU1H183JB5 1210-183CBB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2900
PANASONIC
ROHS
1315+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

ECHU1H183JB5 1210-183CBB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2850
PANASONIC
ROHS
201333
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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ECHU1H183JB5 技术参数

ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH-U1H221JX5 ECH-U1H222GB5 ECH-U1H222GX5 ECH-U1H222JB5 ECH-U1H222JX5 ECH-U1H223GB5 ECH-U1H223GX5 ECH-U1H223JB5 ECH-U1H223JX5 ECH-U1H224GC9 ECH-U1H224GX9 ECH-U1H224JC9 ECH-U1H224JX9 ECH-U1H271GB5 ECH-U1H271GX5 ECH-U1H271JB5 ECH-U1H271JX5 ECH-U1H272GB5

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