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ECH8622-TL-E
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
SANYO
SSOP
23+
-
只做原装正品

ECH8622R
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
SANYO/三洋
MSOP-8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

ECH8622R-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
TSSOP8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ECH8622R
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1500
SANYO
MSOP-8
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

ECH8622R-TL-H
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3000
SANYO
ECH8
08+
-
原装现货/特价

ECH8622-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SANYO
SSOP8
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

ECH8622-TL-E
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
SANYO
SSOP8
18+
-
优势库存，原装现货

ECH8622-TL-E
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4894
ON/安森美
SOT23-6
2230+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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ECH8622 技术参数

ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 4A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8402-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8306-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 2A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8655R-R-TL-H ECH8655R-TL-H ECH8656-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8659-TL-HX ECH8659-TL-W ECH8660-S-TL-H ECH8660-TL-H ECH8661-TL-H ECH8662-TL-H ECH8663R-TL-H ECH8664R-TL-H ECH8667-TL-H ECH8667-TL-HX ECH8668-TL-H ECH8672-TL-H

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