CSD87384M全国供应商 CSD87384M资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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CSD87384MT
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
TI
原厂原装
1645+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

CSD87384M
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CSD87384MT
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
100
TI
NA
25+
-
现货！就到京北通宇商城

CSD87384MT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

CSD87384M
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
TI
TSSOP64
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

CSD87384MEVM-603
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/周小姐/高先生
电话：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
9167
Texas Instruments
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CSD87384MEVM-603
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

CSD87384MT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD87384M
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
TEXAS INS
1521+
-
全新原装现货

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制造商
Texas Instruments
功能描述
IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 5PTAB
制造商
Texas Instruments
功能描述
PowerTab Micro design

CSD87384M 技术参数

CSD87381PT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.3 毫欧 @ 8A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:564pF @ 15V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-LGA 供应商器件封装:5-PTAB（3x2.5）标准包装:1 CSD87381P 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.3 毫欧 @ 8A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:564pF @ 15V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-LGA 供应商器件封装:5-PTAB（3x2.5）标准包装:1 CSD87355Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1860pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87353Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 欧姆 @ 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3190pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87352Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:8.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT

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