CSD75301W1015全国供应商 CSD75301W1015资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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说明
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CSD75301W1015
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
TI
原厂封装
2010
-

CSD75301W1015
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
55381
Texas Instruments
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CSD75301W1015
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
5490
TI
新年份
BGA-6
-
自己现货特价

CSD75301W1015
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
TI
原厂封装
2010
-
全新原装100%正品保证质量

CSD75301W1015
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5970
TEXAS INS
1521+
-
全新原装现货

CSD75301W1015
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7505
TI
DSBGA6
13+
-
原装正品现货库存

CSD75301W1015
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3000
TI
DSBGA
1301+
-
原厂特价货源

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1

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功能描述
MOSFET P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

CSD75301W1015 技术参数

CSD75211W1723 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:12-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:12-DSBGA（1.53x1.98）标准包装:1 CSD75208W1015T 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD75208W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD75207W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:162 毫欧 @ 1A，1.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:9-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:9-DSBGA 标准包装:1 CSD75205W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA（1x1.5）标准包装:1 CSD86330Q3D CSD86350Q5D CSD86350Q5DEVM-604 CSD86360Q5D CSD87312Q3E CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D

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