CSD25401Q3/BKN

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " CSD25401Q3/BKN " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： CSD25402Q3A CSD25404Q3 CSD25404Q3T CSD25480F3 CSD25480F3T CSD25481F4 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T

CSD25401Q3/BKN PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD25401Q3/BKN 技术参数

CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23.9 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD25304W1015T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD25304W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD25303W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA（1x1.5）标准包装:1 CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36