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CSD25304W1015

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • TI

  • 原厂原装

  • 1708+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • 50

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 深圳市德江源电子有限公司
    深圳市德江源电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:8296641615986789713

    地址:深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室

    资质:营业执照

  • 10000

  • TI/德州仪器

  • DSBGA-6

  • 19+

  • -
  • 只做原装,假一赔十

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 27102

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原装

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 16940

  • TEXAS INS

  • 剪切带(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 0

  • Ti

  • DSBGA (YZC)

  • 19

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3039

  • TI/华雄半导体

  • BGA

  • 2231+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 1/1页 40条/页 共18条 
  • 1
CSD25304W1015 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 3A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 32.5 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 4.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 595pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 750mW
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-UFBGA,DSBGA
  • 供应商器件封装
  • 6-DSBGA
  • 标准包装
  • 1
CSD25304W1015 技术参数
  • CSD25303W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):58 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA(1x1.5) 标准包装:1 CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-SON 标准包装:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA(1x1.5) 标准包装:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 1A、 4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA(1x1) 标准包装:1 CSD25211W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):570pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA(1x1.5) 标准包装:1 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H
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