CS3N80A8

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CS3N80A8
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
50000
HUAJING
TO-220AB
18+
-
专业华晶高压MOS管

CS3N80A8
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9133
华晶
TO-220AB
14+
-
绝对公司原装现货

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CS3N80A8 技术参数

CS3M-E3/I 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 2A Surface Mount DO-214AB, (SMC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB，（SMC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CS3M-E3/H 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB（SMC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:850 CS3K-E3/I 功能描述:Diode Standard 800V 2A Surface Mount DO-214AB, (SMC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB，（SMC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CS3K-E3/H 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB（SMC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:850 CS3J-E3/I 功能描述:Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AB, (SMC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB，（SMC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CS4121ENF16 CS4121ENF16G CS4122XDWF24 CS4122XDWF24G CS4122XDWFR24 CS4122XDWFR24G CS4124YN16 CS-4-12XA CS-4-12XB CS-4-12XTA CS-4-12XTB CS-4-12YA CS-4-12YB CS-4-12YTA CS-4-12YTB CS-4-13NA CS-4-13NB CS-4-13NTA