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CRS12(TE85L,Q,M)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

CRS12(TE85L,Q)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
TOSHIBA
S-FLAT
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

CRS12(TE85L,Q,M)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

CRS12(TE85L
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
2650
TOSHIBA
SOD123
假一赔十！
-
绝对原装现货！

CRS12(TE85L)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
TOS
标准封装
06+
-
全新原装100%正品保证质量

CRS12(TE85L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
0
M)
TOSHIBA
5000
-
1521+

CRS12(TE85L,Q,M)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
3000
TOSHIBA
-
公司现货!只做原装!

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CRS12(TE85L 技术参数

CRS1-125-X 功能描述:CABLE RACK SPACER 制造商:panduit corp 系列:* 零件状态:有效标准包装:10 CRS11(TE85L,Q,M) 功能描述:Diode Schottky 30V 1A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:360mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:1 CRS11(TE85L) 功能描述:Diode Schottky 30V 1A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:360mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:1 CRS10I40B(TE85L,QM 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:62pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 CRS10I40A(TE85L,QM 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:490mV @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:35pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 CRS1206-FX-3003ELF CRS1206-FX-33R0ELF CRS1206-FX-4701ELF CRS1206-JX-100ELF CRS1206-JX-101ELF CRS1206-JX-103ELF CRS1212 CRS13(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) CRS15(TE85L,Q,M) CRS150 CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I40A(TE85L,QM CRS1-RPT01 CRS1-X CRS2 CRS2010-FW-4R99ELF

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