配单专家企业名单

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说明
操作

CMF2012F-900-2P-T
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
联系人：陈先生
电话：0754-84492320
地址：广东省汕头市潮南区陈店镇溪口九斗花园旁
593000
EMTEK
SMD
2020+
-
全新原装公司现货

CMF2012F-900-2P-T
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
CHILISIN
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CMF2012F-900-2P
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
HY
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CMF2012F-900-2P-T
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
56000
原厂
SMD
15+ROHS
-
一级质量保证长期稳定提供货优价美

CMF2012F-900-2P-T
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
6000
N/A
805
10+
-
全新原装数量均有多电话咨询

CMF2012F-900-2P-T
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
52127
HONGYEX/宏业兴
SMD
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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CMF2012F-900-2P 技术参数

CMF20120R00JNRE 功能描述:RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包装:带卷（TR）零件状态:有效电阻（欧姆）:120 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:金属薄膜特性:阻燃涂层，防潮，安全温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.145" 直径 x 0.375" 长（3.68mm x 9.53mm）高度:- 端子数:2 标准包装:2,500 CMF20120R00JNR6 功能描述:RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包装:带卷（TR）零件状态:有效电阻（欧姆）:120 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:金属薄膜特性:阻燃涂层，防潮，安全温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.145" 直径 x 0.375" 长（3.68mm x 9.53mm）高度:- 端子数:2 标准包装:1,000 CMF20120R00JNEA 功能描述:RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包装:带卷（TR）零件状态:有效电阻（欧姆）:120 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:金属薄膜特性:阻燃涂层，防潮，安全温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.145" 直径 x 0.375" 长（3.68mm x 9.53mm）高度:- 端子数:2 标准包装:2,500 CMF20120R00GKEK 功能描述:RES 120 OHM 1W 2% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包装:散装零件状态:有效电阻（欧姆）:120 容差:±2% 功率（W）:1W 成分:金属薄膜特性:阻燃涂层，防潮，安全温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.145" 直径 x 0.375" 长（3.68mm x 9.53mm）高度:- 端子数:2 标准包装:100 CMF20120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90.8nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1915pF @ 800V 功率 - 最大值:215W 工作温度:-55°C ~ 135°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 CMF2012R000JNEB CMF2012R000JNR6 CMF2012R000JNRE CMF2013R000GKEA CMF2013R000GKRE CMF20150K00GKEA CMF20150R00GKEA CMF20150R00GKEK CMF20150R00GNRE CMF2015K000GKEA CMF2015K000JNEB CMF2015K000JNR6 CMF2015R000GKEA CMF2015R000GNEA CMF20160K00JKEA CMF2016R000GKEA CMF2016R000GKRE CMF2016R000JNEA

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