CGRBT202-HF

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制造商
COMCHIP
制造商全称
Comchip Technology
功能描述
SMD General Purpose Rectifiers

CGRBT202-HF 技术参数

CGRB307-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 CGRB304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 CGRB301-G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 CGRB207-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 2A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 CGRB204-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 2A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 CGRC507-G CGRKM4001-HF CGRKM4004-HF CGRKM4005-HF CGRKM4007-HF CGRM4001-G CGRM4001-HF CGRM4004-G CGRM4004-HF CGRM4005-G CGRM4005-HF CGRM4007-G CGRM4007-HF CGRMT4001-HF CGRMT4002-HF CGRMT4003-HF CGRMT4004-HF CGRMT4005-HF