C2M1000170D全国供应商【买卖IC网】C2M1000170D资料|PDF Datasheet|价格 Cree/Wolfspeed

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批号
价格
说明
操作

C2M1000170D
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
52445
CREE(科锐)
22+
-
原装原厂现货

C2M1000170D
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
1800
CREE
TO247-3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

C2M1000170D
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
CREE
QFP
22+
-
原装正品现货

C2M1000170D
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

C2M1000170D
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

C2M1000170D
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4345
CREE
1521+
INC
-

C2M1000170D
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Wolfspeed
22+
-
原装正品

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1

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制造商
Cree
功能描述
制造商
Cree
功能描述
MOSFET N-CH 1700V 4.9A SIC
制造商
Cree
功能描述
MOSFET, N-CH, 1700V, 4.9A, SIC, TO247
制造商
Cree
功能描述
MOSFET, N-CH, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3, Transistor Polarity
制造商
Cree
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

C2M1000170D 技术参数

C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1.25mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20.4nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32.6nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0045170D 功能描述:MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 18mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:188nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3672pF @ 1kV 功率 - 最大值:520W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0040120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1893pF @ 1000V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2PXG-1406G C2PXG-1406M C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M