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BZX55A12

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BZX55A12 技术参数

BZX55A11-TAP 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55A10-TAP 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX384C9V1-HE3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±5% Surface Mount SOD-323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:10,000 BZX384C9V1-HE3-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±5% Surface Mount SOD-323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:3,000 BZX384C9V1-G3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±5% Surface Mount SOD-323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:10,000 BZX55A4V7-TAP BZX55A5V1-TAP BZX55A5V6-TAP BZX55A5V6-TR BZX55A6V2-TAP BZX55A6V8-TAP BZX55A7V5-TAP BZX55A8V2-TAP BZX55A9V1-TAP BZX55B10 A0G BZX55B10-TAP BZX55B10-TR BZX55B11 A0G BZX55B11-TAP BZX55B11-TR BZX55B12 A0G BZX55B12-TAP BZX55B12-TR