配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

BYM358X
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
19658
NXP/恩智浦
SOT186A
22+
-

BYM358X
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
18652
PHILIPS
TO220
2024+
-
绝对现货

BYM358X
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
NXP/恩智浦
SOT186A
22+
-
十年配单，只做原装

BYM358X
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
SOT186A
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

BYM358X
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BYM358X,127
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220-3
18+
-
RF Diode Standard - ...

BYM358X,127
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
NXP Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

BYM358X/SOT186A/RAILH//
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

BYM358X
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
PHILIPS
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
Damper-Modulator fast, high-voltage

BYM358X 技术参数

BYM357X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 电流 - 最大值:7A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:2 个独立式电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:- 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81 BYQ28EB-200-E3/81

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