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BSTC-108-S-090-06-T-250

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BSTC-108-S-090-06-T-250
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
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MAJOR LEAGUE ELECTRONICS
主营优势
1826
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100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
Major League Electronics
功能描述
8 Position 2.54mm Pitch Stacked Non-Shrouded Throughole Header

BSTC-108-S-090-06-T-250 技术参数

BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 150mA，5V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BST72A,112 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BST62-70TA 功能描述:TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:72V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1,000 BST62,115 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BST62 标准包装:1 BSTS-27X4 BSTS-27X4/CL/NM BSTS-35X25/FR/NM BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L