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BSS138TR-ND

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    BSS138TR-ND

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  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 6000

  • FAICHIL

  • SOT-23

  • 16+

  • -
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BSS138TR-ND 技术参数
  • BSS138TC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BSS138TA 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS138Q-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS138PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):320mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta),830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 300mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TA) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:1 BSS138PS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):320mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:420mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 BSS138W-TP BSS139 E6327 BSS139 E6906 BSS139 H6327 BSS139H6327XTSA1 BSS139H6906XTSA1 BSS139L6327HTSA1 BSS139L6906HTSA1 BSS-150-01-C-D-A BSS-150-01-F-D BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2 BSS-150-01-H-D BSS-150-01-H-D-A BSS-150-01-L-D BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC
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