BSPCM

配单专家企业名单

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批号
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说明
操作

BSPCM
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

BSPCM
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
MPD (Memory Protection De
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

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1

您是不是要找： BSPD0180DINL BSPD12DING BSPD24DING BSPD24DINLHF BSPD48DING BSPD48RJ45 BSPD5BNCDD BSPD5BNCDI BSPD5BNCSI

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功能描述
SNAP 9V MALE PC MOUNT
RoHS
是
类别
电池产品 >> 电池座，夹，触点
系列
-
标准包装
100
系列
-
电池类型，功能
圆柱形，触点（单）
样式
触点弹簧（线圈）
电池大小
多重
单元数
-
电池系列
-
安装类型
自定义
端接类型
-
板上方高度
-
工作温度
-
配用
P670-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAA 4 PACKP671-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AA 4 PACKP672-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAA 2 PACKP673-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AA 2 PACKP674-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAAP675-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AATL-4903-ND - BATT LTH AA 3.6VLR03XWA/C-ND - BATT IND ALKALINE AAA SIZELR6XWA/C-ND - BATT IND ALKALINE AA SIZEP649-ND - BATTERY IND ALKALINE AAA更多...
其它名称
211K

BSPCM 技术参数

BSPCF 功能描述:SNAP 9V FEMALE PC MOUNT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件状态:有效电池类型，功能:9V，卡入式触点（单）样式:触点，卡入式（正极）电池尺寸:9V 电池数:- 电池系列:- 安装类型:PCB，通孔端子类型:PC 引脚板上高度:0.380"（9.64mm）工作温度:- 标准包装:100 BSP92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 260mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 260mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP92P E6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 260mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP89L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSPD5DING BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR BSPH2600PV BSPH2600PVR BSPH2A150D150LV BSPH2A150D150LVR BSPH2A230D230LV BSPH2A230D230LVR BSPH2A24D24LV BSPH2A24D24LVR