BSO615NGHUMA1全国供应商 BSO615NGHUMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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BSO615NGHUMA1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
Infineon
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSO615NGHUMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Infineon
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSO615NGHUMA1
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Infineon
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

BSO615NGHUMA1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BSO615NGHUMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2500
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

BSO615NGHUMA1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3978
INFINEON
SOP8
2231+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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1

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin SO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

BSO615NGHUMA1 技术参数

BSO615N G 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO615N 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO615CT 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO615CGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 基本零件编号:BSO615 标准包装:1 BSO615C G 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906

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