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BSF3957D

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BSF3957D
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7866
BAOKE
SIP5
10+
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绝对公司原装现货

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BSF3957D 技术参数

BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），43W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSF134N10NJ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2