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BSD314SPEL6327
优势
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
9868
INFINEON/英飞凌
SOT-363-6
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSD314SPEL6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Infineont
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSD314SPEL6327
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
INFINEON
SOT-363
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BSD314SPEL6327HTSA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT363-6
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSD314SPEL6327
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
Infineon technologies
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
国内授权代理分销

BSD314SPEL6327
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4667
INFINEON
SOT-363-6
2201+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-Channel MOSFETs (-20V... -250V)

BSD314SPEL6327 技术参数

BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL

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