BS250PSTZ

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BS250PSTZ
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
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功能描述
MOSFET P-Chnl 45V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BS250PSTZ 技术参数

BS250PSTOB 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS250P 功能描述:MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:4,000 BS250KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-18RM 标准包装:1 BS250FTC 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BS250FTA 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BS2EP BS2I BS2-IC BS2I-HD BS2I-IC BS2I-MC BS2LA BS2P24 BS2P40 BS2PE BS2P-SHF-1AA(LF)(SN) BS2PX24 BS2RC24 BS2SX-IC BS2T-HD BS2XC24 BS-3 BS-300.000MBB-T