BCY79-IX

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说明
操作

BCY79-IX PBFREE
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
CENTRAL SEMICONDUCTOR COR
con
24+
-
晶体管

BCY79-IX PBFREE
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
CENTRAL SEMICONDUCTOR COR
con
24+
-
晶体管

BCY79-IX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
853240
Philips
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

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功能描述
两极晶体管 - BJT PNP 45V 100mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BCY79-IX 技术参数

BCY59-X 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BCY59X 功能描述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:390mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1,000 BCY59-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BCY59VIII 功能描述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:390mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1,000 BCY59-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BD00FC0WEFJ-E2 BD00FC0WFP-E2 BD00GA3MEFJ-ME2 BD00GA3WEFJ-E2 BD00GA3WNUX-TR BD00GA5MEFJ-ME2 BD00GA5WEFJ-E2 BD00GC0MEFJ-LBH2 BD00GC0MEFJ-ME2 BD00GC0WEFJ-E2 BD00HA3MEFJ-LBH2 BD00HA3MEFJ-ME2 BD00HA3WEFJ-E2 BD00HA5MEFJ-ME2 BD00HA5WEFJ-E2 BD00HC0MEFJ-ME2 BD00HC0WEFJ-E2 BD00HC5MEFJ-LBH2