BCY59-X

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BCY59-X PBFREE
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
60715
Central Semiconductor Cor
TO-206AA, TO-18-3 Me
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BCY59-X
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/周小姐/高先生
电话：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
1613
Central Semiconductor
TO-18
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BCY59-X
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
ST
TO-18
15+
-
原装正品，假一罚十

BCY59-X
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
N/A
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

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1

您是不是要找： BCY79-IX BCY79-VII BCY79-VIII BCY79-X BD00C0AWCP-V5E2 BD00C0AWFP-CE2 BD00C0AWFP-E2 BD00C0AWFPS-ME2 BD00C0AWHFP-CTR

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功能描述
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
45V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
700mV @ 2.5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
380 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
1W
频率 - 跃迁
150MHz
工作温度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装
TO-18
标准包装
2,000

BCY59-X 技术参数

BCY59X 功能描述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:390mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1,000 BCY59-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BCY59VIII 功能描述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:390mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1,000 BCY59-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BCY59-IX 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:630 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BD00D0AWHFP-TR BD00FC0WEFJ-E2 BD00FC0WFP-E2 BD00GA3MEFJ-ME2 BD00GA3WEFJ-E2 BD00GA3WNUX-TR BD00GA5MEFJ-ME2 BD00GA5WEFJ-E2 BD00GC0MEFJ-LBH2 BD00GC0MEFJ-ME2 BD00GC0WEFJ-E2 BD00HA3MEFJ-LBH2 BD00HA3MEFJ-ME2 BD00HA3WEFJ-E2 BD00HA5MEFJ-ME2 BD00HA5WEFJ-E2 BD00HC0MEFJ-ME2 BD00HC0WEFJ-E2