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BCR1000BFMAHWS

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

BCR1000BFMAHWS
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
61878
Vishay Electro-Films
0202 (0505 Metric)
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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功能描述
RES 10 OHM 1/4W 1% BACK-C CHIP
RoHS
是
类别
电阻器 >> 芯片电阻 - 表面安装
系列
BCR
RoHS指令信息
3-1879507-7 Statement of Compliance
标准包装
20,000
系列
CRGH, Neohm
电阻（欧姆）
316k
功率（瓦特）
0.2W，1/5W
复合体
厚膜
特点
-
温度系数
±100ppm/°C
容差
±1%
封装/外壳
0603（1608 公制）
尺寸/尺寸
0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）
高度
-
端子数
2
包装
带卷 (TR)
其它名称
CRGH0603F316K

BCR1000BFMAHWS 技术参数

BCR10001FMAHWT 功能描述:RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 0202 制造商:vishay electro-films 系列:BCR 包装:托盘零件状态:有效电阻（欧姆）:10k 容差:±1% 功率（W）:0.25W，1/4W 成分:薄膜特性:防潮温度系数:±250ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:0202（0505 公制）供应商器件封装:202 大小/尺寸:0.020" 长 x 0.020" 宽（0.50mm x 0.50mm）高度:0.012"（0.30mm）端子数:2 标准包装:10 BCR10001FMAHWS 功能描述:RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 0202 制造商:vishay electro-films 系列:BCR 包装:托盘零件状态:有效电阻（欧姆）:10k 容差:±1% 功率（W）:0.25W，1/4W 成分:薄膜特性:防潮温度系数:±250ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:0202（0505 公制）供应商器件封装:202 大小/尺寸:0.020" 长 x 0.020" 宽（0.50mm x 0.50mm）高度:0.012"（0.30mm）端子数:2 标准包装:100 BCR08PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR08PNH6433XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR08PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR108WH6433XTMA1 BCR10CM-12LB#BB0 BCR10CM-16LH#BB0 BCR10CS-12LBT1#BH0 BCR10CS12LBT11#B00 BCR10FM-12LB#BB0 BCR10FM-14LJ#BB0 BCR10LM-16LH-1#B00 BCR10PNB6327XT BCR10PNE6327BTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6727XTSA1 BCR10PNH6730XTMA1 BCR112E6327HTSA1 BCR112WE6327BTSA1 BCR112WH6327XTSA1 BCR116E6327HTSA1 BCR116E6393HTSA1