BC373ZL1

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BC373ZL1
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
800
MOT
TO-92
20+
-
科思奇现货库存，全新原装

BC373ZL1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
MOT
TO-92
2011
-
假一罚十，百分百原装正品

BC373ZL1G
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ON SEMICONDUCTOR
0715+
-
假一罚十，百分百原装正品

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功能描述
达林顿晶体管 1A 80V NPN
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—基极电压 VCBO
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
封装
Reel

BC373ZL1 技术参数

BC373RL1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 BC373RL1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC373G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 BC373 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 BC372G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 BC3AASF BC3AAW BC3S-S10-C0 BC3S-S10-D BC3S-S10-D0 BC40 BC413159A06-IPK-E4 BC413159A10-IPK-E4 BC413159A11-IQA-E4 BC413159B10-IPK-E4 BC417143B-GIQN-E4 BC417143B-GIRN-E4 BC417143B-IQN-E4 BC417143B-IRN-E4 BC419143B-ANN-E4 BC41B143A05-ANN-E4 BC41B143A06-ANN-E4 BC41B143A06-IRK-E4