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AUIRFZ48ZSTRL

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说明
操作

AUIRFZ48ZSTRL
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
90528
Infineon Technologies
TO-263-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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1

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功能描述
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRFZ48ZSTRL 技术参数

AUIRFZ48ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFZ48Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AUIRFZ48N 功能描述:MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:69A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRFZ46NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1696pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRFZ44ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1420pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRGF65G40D0 AUIRGF66524D0 AUIRGF76524D0 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E AUIRGP65A40D0 AUIRGP65G40D0 AUIRGP66524D0