AUIRFS4010-7P全国供应商 AUIRFS4010-7P资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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AUIRFS4010-7P
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
IR
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRFS4010-7P
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
6800
TI
SOP8
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

AUIRFS4010-7P
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
10600
IR
TO-263
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

AUIRFS4010-7P
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
32113
Infineon / IR
TO-263-7
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

AUIRFS4010-7P
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
D2PAK（7-Lead）
19+
-
代理直销！进口原装正品！

AUIRFS4010-7P
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7500
IR
D2-Pak7
13+
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全新原装，现货，价优！

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功能描述
MOSFET 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRFS4010-7P 技术参数

AUIRFS4010 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 106A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9575pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS3806TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 50V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS3806 功能描述:MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 50V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS3607TRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:84nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3070pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 46A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 基本零件编号:* 标准包装:800 AUIRFS3607 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 46A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3070pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4410Z AUIRFS4610 AUIRFS6535 AUIRFS6535TRL AUIRFS8403 AUIRFS8403TRL AUIRFS8405 AUIRFS8405TRL AUIRFS8407 AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7TRL AUIRFS8407TRL AUIRFS8408 AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8409 AUIRFS8409-7P

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