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AUIRF3004WL.

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • N CH MOSFET AUTOMOTIVE 40V 240A TO-2
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 40V, 240A, TO-2
AUIRF3004WL. 技术参数
  • AUIRF3004WL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 195A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):210nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9450pF @ 32V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-262-3 宽引线 供应商器件封装:TO-262-3 宽型 标准包装:50 AUIRF2907ZS7PTL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):260nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7580pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 110A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB 标准包装:800 AUIRF2907Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF2903ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6320pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF2903ZS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6320pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF3504 AUIRF3710Z AUIRF3710ZS AUIRF3710ZSTRL AUIRF3805 AUIRF3805L AUIRF3805L-7P AUIRF3805S AUIRF3805S-7P AUIRF3805S-7TRL AUIRF3808S AUIRF4104 AUIRF4104S AUIRF4905 AUIRF4905L AUIRF4905S AUIRF4905STRL AUIRF5210S
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