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ATP112

配单专家企业名单
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  • ATP112-TL-H
    ATP112-TL-H

    ATP112-TL-H

  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 2880

  • ON

  • 16+

  • -
  • ATP112-TL-H
    ATP112-TL-H

    ATP112-TL-H

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • ON

  • 原厂原装

  • 1728+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • ATP112-TL-H
    ATP112-TL-H

    ATP112-TL-H

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • ON

  • SMD

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • ATP112
    ATP112

    ATP112

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • DPAK/TO-252

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • ATP112-TL-H
    ATP112-TL-H

    ATP112-TL-H

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 67500

  • ON

  • TO-252

  • 13+

  • -
  • 全新原装现货

  • ATP112-TL-H
    ATP112-TL-H

    ATP112-TL-H

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2520

  • ON Semiconductor

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新进口

  • -
  • 国内授权代理分销

  • 1/1页 40条/页 共26条 
  • 1
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  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全称
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP112 技术参数
  • ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.4 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):79.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP106-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1380pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP104-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Ta) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 38A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:ATPAK 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 标准包装:3,000 ATP104-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 38A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3950pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP207-S-TL-H ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT
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