您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

AS4C64M8D1-5TCNTR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AS4C64M8D1-5TCNTR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/周小姐/高先生
电话：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
51423
Alliance Memory
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： AS4C64M8D1-5TIN AS4C64M8D1-5TINTR AS4C64M8D2-25BAN AS4C64M8D2-25BANTR AS4C64M8D2-25BCN AS4C64M8D2-25BCNTR AS4C64M8D2-25BIN AS4C64M8D2-25BINTR AS4C64M8D3-12BCN

AS4C64M8D1-5TCNTR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AS4C64M8D1-5TCNTR PDF下载

功能描述
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
制造商
alliance memory, inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR
存储容量
512Mb （64M x 8）
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
700ps
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.3 V ~ 2.7 V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
66-TSOP II
标准包装
1,000

AS4C64M8D1-5TCNTR 技术参数

AS4C64M8D1-5TCN 功能描述:IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 66TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:512M（64M x 8）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:66-TSOP II 标准包装:108 AS4C64M8D1-5BINTR 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR 存储容量:512Mb （64M x 8）时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x13）标准包装:2,500 AS4C64M8D1-5BIN 功能描述:IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:512M（64M x 8）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（13x8）标准包装:240 AS4C64M8D1-5BCNTR 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR 存储容量:512Mb （64M x 8）时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x13）标准包装:2,500 AS4C64M8D1-5BCN 功能描述:IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:512M（64M x 8）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（13x8）标准包装:240 AS4C64M8D3-12BCNTR AS4C64M8D3-12BIN AS4C64M8D3-12BINTR AS4C64M8D3L-12BCN AS4C64M8D3L-12BCNTR AS4C64M8D3L-12BIN AS4C64M8D3L-12BINTR AS4C64M8SA-7TCN AS4C64M8SA-7TCNTR AS4C8M16D1-5BCN AS4C8M16D1-5BCNTR AS4C8M16D1-5BIN AS4C8M16D1-5BINTR AS4C8M16D1-5TCN AS4C8M16D1-5TCNTR AS4C8M16D1-5TIN AS4C8M16D1-5TINTR AS4C8M16D1A-5TCN