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APTM10DHM09TG

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APTM10DHM09TG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
40049
Microsemi Corporation
SP4
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G

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功能描述
MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM10DHM09TG 技术参数

APTM10DHM05G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:278A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM10DDAM19T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM10DDAM09T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:139A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM10DAM05TG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:278A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM10DAM02G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:495A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G APTM120DA29TG APTM120DA30CT1G APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G