配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

APT80GP60JDQ3
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
ISOTOP
23+
-
微芯专营优势产品

APT80GP60JDQ3
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APT80GP60JDQ3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT80GP60JDQ3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
86530
APT
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APT80GP60JDQ3
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Microsemi
原厂封装！
10+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT80GP60JDQ3
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT80GP60JDQ3
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

APT80GP60JDQ3
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
APT
正品封装
23+
-
正规商现货供应

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube

APT80GP60JDQ3 技术参数

APT80GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:151A 功率 - 最大值:462W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.84nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT80GA90LD40 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:145A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 开关能量:1652μJ（开），1389μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/149ns 测试条件:600V，47A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:25ns 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT80GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:145A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 开关能量:1652μJ（开），1389μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/149ns 测试条件:600V，47A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT80GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:143A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 开关能量:840μJ（开），751μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/158ns 测试条件:400V，47A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:143A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 开关能量:840μJ（开），751μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/158ns 测试条件:400V，47A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC

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