APT50GR120JD30全国供应商 APT50GR120JD30资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

APT50GR120JD30
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯专营优势产品

APT50GR120JD30
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APT50GR120JD30
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT50GR120JD30
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

APT50GR120JD30
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT50GR120JD30
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APT50GR120JD30
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

您是不是要找： APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT50GR120JD30 技术参数

APT50GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:445nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/237ns 测试条件:600V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:525μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 开关能量:465μJ（开），637μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/83ns 测试条件:400V，50A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 开关能量:465μJ（开），635μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/85ns 测试条件:400V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2