您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

APT21012NW

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " APT21012NW " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
APT21012NW PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
APT21012NW 技术参数
  • APT20SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 32A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):32A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:680pF @ 100mV,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT20SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):68A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:1135pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT20SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:- 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):68A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:1135pF @ 0V,1MHz 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:30 APT20N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 13.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:30 APT20N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 13.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S APT25GR120SD15
配单专家

在采购APT21012NW进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APT21012NW产品风险,建议您在购买APT21012NW相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APT21012NW信息由会员自行提供,APT21012NW内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号