APT20SCD65K全国供应商 APT20SCD65K资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

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价格
说明
操作

APT20SCD65K
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
404
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT20SCD65K
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
MICROSEMI/美高森美
TO220-2
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

APT20SCD65K
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220-2L
25+
-
国产品牌，替代进口

APT20SCD65K
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
500
MROSEMI/美高森美
TO220-2
1424+1423+
-
只做原装，假一赔十

APT20SCD65K
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

APT20SCD65K
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2030
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT20SCD65K
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4000
Microsemi
TO220-2
2210+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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1

您是不是要找： APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT20SCD65K 技术参数

APT20SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:68A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:1135pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT20SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:- 零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:68A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:1135pF @ 0V，1MHz 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:30 APT20N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 13.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:30 APT20N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 13.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 APT20M45BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S APT25GR120SD15