配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT12067B2LL
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247
25+
-
国产品牌，替代进口

APT12067B2LL
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
12978
APT
直插/贴片
2025+
-
代理原装现货假一赔十

APT12067B2LLG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
72836
Microsemi Corporation
TO-247-3 Variant
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT12067B2LLG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
17470
Microchip / Microsemi
T-MAX-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT12067B2LL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT12067B2LL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS

APT12067B2LL 技术参数

APT12067B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT12057LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:570 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:185nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT12057JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:290nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:570 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT12057B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:290nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:570 毫欧 @ 11A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:1 APT12057B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:570 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:185nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA APT1212WAW APT1212WAY APT1221 APT1221A APT1221AX APT1221AZ APT1221S