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AON1611
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN1.6x1.
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON1611
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

AON1611
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
88485
Alpha & Omega Semiconduct
6-PowerUFDFN
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

AON1611
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/周小姐/高先生
电话：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
70268
Alpha & Omega Semiconduct
6-PowerUFDFN
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

AON1611
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
AOS
近两年生产
DFN-6
-
每一片都来自原厂

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1

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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin DFN EP
制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN

AON1611 技术参数

AON1610 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:29 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:748pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerUFDFN 供应商器件封装:6-DFN（1.6x1.6）标准包装:3,000 AON1606_001 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:275 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:850nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:62.5pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN（1.0 x 0.60）标准包装:1 AON1606 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:275 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:850nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:62.5pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN（1.0 x 0.60）标准包装:10,000 AON1605_001 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:710 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:750nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN（1.0 x 0.60）标准包装:1 AON1605 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:710 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:750nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN（1.0 x 0.60）标准包装:10,000 AON2405 AON2406 AON2407 AON2408 AON2409 AON2410 AON2411 AON2420 AON2701 AON2701_001 AON2701L#A AON2705 AON2705_001 AON2707 AON2800 AON2801 AON2801L AON2801L#A