ALD118W

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ALD118W
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
NAIS
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ALD118W
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
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15+
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功能描述
通用继电器 1 Form A 3A 277VAC 3A 30VDC 18V
RoHS
否
制造商
Omron Electronics
触点形式
1 Form A (SPST-NO)
触点电流额定值
150 A
线圈电压
24 VDC
线圈电阻
144 Ohms
线圈电流
167 mA
切换电压
400 V
安装风格
Chassis
触点材料

ALD118W 技术参数

ALD118 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 18VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包装:管件零件状态:过期继电器类型:通用线圈类型:无锁存线圈电流:11.1mA 线圈电压:18VDC 触头外形:SPST-NO（1 A 型）额定接触（电流）:3A 开关电压:277VAC，30VDC - 最大导通电压（最大值）:13.5 VDC 关闭电压（最小值）:0.9 VDC 工作时间:10ms 释放时间:10ms 特性:- 安装类型:通孔端子类型:PC 引脚触头材料:银镍（AgNi）线圈功率:200 mW 线圈电阻:1.62 千欧工作温度:-40°C ~ 70°C 标准包装:50 ALD114935SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD114935PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD114913SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD114913PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L ALD13Y48-L ALD13Y48N-6L ALD13Y48N-L ALD13Y48N-SL ALD13Y48-SL ALD14H ALD1502PAL ALD1502SAL ALD15K48-6L ALD15K48-L ALD15K48N-6L ALD15K48N-L ALD15K48N-SL