ALD112W

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ALD112W
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
PANASONIC
DIP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ALD112W
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NAIS
10+
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百分百原装正品，质量保障价格及优

ALD112W
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
松下
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18+
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功能描述
通用继电器 1 Form A 3A 277VAC 3A 30VDC 12V
RoHS
否
制造商
Omron Electronics
触点形式
1 Form A (SPST-NO)
触点电流额定值
150 A
线圈电压
24 VDC
线圈电阻
144 Ohms
线圈电流
167 mA
切换电压
400 V
安装风格
Chassis
触点材料

ALD112W 技术参数

ALD112 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包装:管件零件状态:过期继电器类型:通用线圈类型:无锁存线圈电流:16.7mA 线圈电压:12VDC 触头外形:SPST-NO（1 A 型）额定接触（电流）:3A 开关电压:277VAC，30VDC - 最大导通电压（最大值）:9 VDC 关闭电压（最小值）:0.6 VDC 工作时间:10ms 释放时间:10ms 特性:- 安装类型:通孔端子类型:PC 引脚触头材料:银镍（AgNi）线圈功率:200 mW 线圈电阻:720 欧姆工作温度:-40°C ~ 70°C 标准包装:50 ALD111933SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD111933PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD111933MAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:50 ALD111910SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:- 零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:50 ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L