ALD1116PAL

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ALD1116PAL
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9943
Advanced
DIP
12+
-
绝对公司原装现货

ALD1116PAL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

ALD1116PAL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2575
ADVANCED
1521+
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全新原装现货

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功能描述
MOSFET Dual N-Channel Pair
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ALD1116PAL 技术参数

ALD1115SAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1115PAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1115MAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:50 ALD1110ESAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1110EPAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD112 ALD114804APCL ALD114804ASCL ALD114804PCL ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118