配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1SS372(TE85L,F)
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
39000
TOSHIBA
-
现货库存Q

1SS372(TE85L,F)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
691
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

1SS372(TE85L,F)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
691
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

1SS372(TE85L,F)
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
1876
TOSHIBA/东芝
SOT323
19+
-
1万平智能恒温仓库

1SS372(TE85L,F)
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
TOSHIBA/东芝
SOT323
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

1SS372(TE85L,F)
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
5013
TOSHIBA
SOT-323
21+
-

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
Diode,SBD,Vr=10V,Io=100mA,USM

1SS372(TE85L,F) 技术参数

1SS370TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS367,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS366-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:肖特基 - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:10V 电流 - 最大值:35mA 不同?Vr，F 时的电容:0.85pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 1SS362TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:80mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:* 标准包装:1 1SS362FV,L3F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VESM 标准包装:1 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG