配单专家企业名单

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说明
操作

1SS317(6B)
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD574JD
AD7572KP
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

1SS317(6B)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
150000
NEC
SOD323
2024+
-
绝对现货

1SS317(6B)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NEC
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

1SS317(6B)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
NEC
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

1SS317(6B)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
NEC
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

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您是不是要找： 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T)

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1SS317(6B) 技术参数

1SS315TPH3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:5V 电流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SS309(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:4 共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标准包装:1 1SS308(TE85L,F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:4 共阳极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SC-74A，5 迷你型塑模标准包装:1 1SS307E,L3F 功能描述:DIODE SW GP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SC-79 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS307(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF