1N6473US

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N6473US
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
71984
Semtech Corporation
SQ-MELF, G
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6473US
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/周小姐/高先生
电话：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
14896
Semtech
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6473US
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Microsemi Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US 1N6476 1N6476US 1N6478-E3/96 1N6478-E3/97 1N6478HE3/96

1N6473US PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N6473US PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS SGL UNI-DIR 24V 1.5KW 2PIN D-5C - Bulk

1N6473US 技术参数

1N6473 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC GPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:24V 电压 - 击穿（最小值）:27V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:207A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6472US 功能描述:TVS DIODE 15VWM 26.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:26.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:322A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 1N6472 功能描述:TVS DIODE 15VWM 26.5VC GPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:26.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:322A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6471US 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:374A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 1N647-1 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6478HE3/97 1N6479-E3/96 1N6479-E3/97 1N6479HE3/96 1N6479HE3/97 1N647UR-1 1N6480-E3/96 1N6480-E3/97 1N6480HE3/96 1N6480HE3/97 1N648-1 1N6481-E3/96 1N6481-E3/97 1N6481HE3/96 1N6481HE3/97 1N6482-E3/96 1N6482-E3/97 1N6482HE3/96