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1N646-1

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:骆小姐

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  • Microchip Technology

  • DO-204AH, DO-35, Axi

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  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • 1N646-1
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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:周小姐/曹先生/高先生

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  • Microchip Technology

  • DO-204AH, DO-35, Axi

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL UNI-DIR 5V 500W 2PIN E - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT STD DO-31
1N646-1 技术参数
  • 1N6461 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):5.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):315A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N646 1N645UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 电流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N645-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 电流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N645-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 电流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US
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